Samsung 第八代V-NAND

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Samsung 第八代V-NAND 共1个产品

名称	容量	NAND I/O速度	接口
第八代V-NAND	1Tb	2.4 Gb/秒	Toggle DDR 5.0

三星电子第八代V-NAND容量为 1Tb，并采用了先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免缩小尺寸时通常出现的单元间干扰。

三星第八代V-NAND基于Toggle DDR 5.0 接口* （最新的 NAND 闪存标准），输入和输出 (I/O) 速度高达 2.4 Gb/秒 (Gbps)，这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 和更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。

三星电子第八代V-NAND已实现量产。

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三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

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