美光232 层 NAND拥有业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s)。美光 2022-07-27

Micron 3D TLC B95A提供16GB-32GB多种容量选择，支持LDPC纠错。美光 2019-05-09

Micron 3D TLC B27A提供64GB-512GB多种容量选择，支持LDPC纠错。美光 2018-03-14

与DDR4相比，美光DDR5提供高达2倍的内存带宽，满足现代数据中心CPU内核的加速增长。美光 2020-01-06

Micron DDR4有4Gb、8Gb、16Gb、32Gb 四种容量，数据处理速率为最高为3200Mbps美光 2016-01-26

采用美光232层QLC NAND，PCIe Gen4接口，提供512GB-2TB容量选择。美光 2024-04-17

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4接口，符合NVMe 2.0c规范。美光 2023-12-05

采用美光232层闪存颗粒，PCIe Gen4*4接口，符合NVMe v2.4b规范。美光 2023-10-17

带宽提高 2 倍，在上一代产品中，Crucial DDR5 Pro 支持更高水平的多任务处理和更快的处理速度美光 2023-05-17

借助 Crucial DDR4 Pro 内存速度提升33%，可打开多个浏览器选项卡美光 2023-05-17

美光DDR5内存提供高达5倍的性能，可满足数据中心AI、HPC和企业工作负载中CPU内核的持续增长美光 2020-01-06

美光UFS 4.0采用232层3D TLC NAND，共有三种容量选择256 GB、512 GB和1TB。美光 2023-10-30

采用96层3D NAND，提供256GB和128GB容量选择，与UFS 2.1性能相比，读取速度快2倍，写入速度提高50%。美光 2020-06-01

符合eMMC 5.0规范容量提供16GB-64GB，被广泛的应用于消费性电子产品中。美光 2015-11-25

采用美光96层QLC 3D NAND，提供128GB，256GB，512GB和1TB四种容量规格。美光 2019-11-12

采用美光先进96层3D QLC NAND技术，提供128GB-1TB容量选择。美光 2019-02-26

采用美光64层3D TLC，在更小空间实现更大容量，提供32GB、64GB、128GB、256GB四种容量可选。美光 2018-04-11