三星砸217亿美元扩大存储器产能，DDR5有望下半年量产

据韩媒报道，三星电子今年预计将进行35万亿韩元（316亿美元）半导体投资，相较2020年增长20%。其中，存储半导体预计投资24万亿韩元，晶圆代工领域预计投资11万亿韩元，据悉此次投资将主要集中在西安二期工厂和平泽P2工厂。

西安二期为NAND Flash工厂，目前已订购的设备将在今年6月-7月交付产线用于生产128层V6 3D NAND。消息称，西安二期工厂建成后合计月12万片，约占三星电子全球产量的40%。

而平泽P2工厂为NAND Flash、DRAM和晶圆代工混合产线，产线扩充之后预计NAND Flash月产能将增加18-30K；DRAM月产能将增加30-60K；晶圆代工产能增加20K。

三星作为全球半导体龙头企业，其扩大投资规模不仅代表其可能进一步扩大领先优势，对下游半导体材料、零件及设备等相关产业都将产生提振作用。

报道称，三星电子已经开始订购相关半导体设备，其中还包括生产DDR5芯片的检测设备。三星电子于去年2月份宣布成功研发DDR5芯片，预计今年下半年开始量产。

此外，为实现三星全球晶圆代工第一的愿景，必然加大晶圆代工方向投资，加上今年全球晶圆代工产能紧缺的重大机遇，消息称，三星目前正在加快美国奥斯汀工厂进度，希望在今年下半年开始建设，但也可能仅限于基础设施。