继三星电子(Samsung Electronics)宣布投下高达26兆韩元(约228.8亿美元)资本支出震撼弹，近期台塑集团亦不甘示弱，酝酿展开大反击，旗下南亚科和华亚科将再度扩大2010年DRAM资本支出计划，投入合计逼近新台币1,000亿元银弹，目标是在2010年下半将42奈米制程提前2个月量产。另外，尔必达(Elpida)45奈米制程良率优于预期，亦准备大幅转进，力拱2Gb产品，凸显在三星正式击出重拳后，台、美、日DRAM业者纷准备全面应战。
南亚科和华亚科近2年大手笔进行筹资，并扩大资本支出，以力拱50奈米制程能快速进入量产阶段，但眼进三星已抢先端出史上最高金额资本支出计划，甚至传出三星第2季底DRAM产能便将全面转进至46奈米制程，加上竞争对手尔必达42奈米制程进度亦超前，使得美光阵营决定转换战术，将旗下42奈米制程全面提前导入，按照原订时间提前2个月。
内存业者透露，南亚科和华亚科近期将二度提高资本支出，以因应42奈米制程提前导入，2010年2家公司合计砸下银弹攻势极可能逼近新台币1,000亿元。其中，南亚科2010年资本支出从2009年底预计达190亿元，日前已宣布提升至220亿元，主要系因应旗下12吋晶圆厂产能从3万多片提升至5万多片，让产能利用达到极致化，但这次改变战术，将让42奈米制程提前登场亮相，资本支出遂进行二度调高以因应需求。
南亚科对此指出，公司内部的确考虑要将42奈米制程提前导入，但资本支出要再增加多少，目前董事会还未定案，因此，2010年股东会通过现金增资案，原本是打算备而不用，目前来看有可能会执行，以因应42奈米制程快速导入。
至于华亚科2010年资本支出计划已经从原先新台币450亿元提升至520亿元，2010年下半为因应42奈米制程提前导入，资本支出势必要再度扩充。华亚科指出，2010年下半42奈米制程计划提前2个月导入，严格来说不是增加2010年资本支出，而是把2011年部分资本支出提前到2010年来执行，实际增加额度要等到7月才会对外宣布，但这次不会再对外募资，目前手上现金已足够支应此计划。
内存业者指出，DRAM制程技术走到50奈米制程以下，最贵花费是购买浸润式曝光机台(Immersion Scanner)，42奈米制程比起50奈米制程处理程序更复杂，因此，所需要浸润式机台又更多，南亚科和华亚科亦计划增加购买机台数量。
其中，南亚科目前已到位浸润式机台有2台，足够现在12吋晶圆厂3万多片产能转进至50奈米制程之用，由于南亚科第3季底前产能将扩充至5万片，因此，还会再增加1台浸润式设备，但若要因应42奈米制程提前量产，又必须再增加1台，初估2010年底前会有4台浸润式机台到位。
华亚科部分，目前已有3台浸润式机台到位，9月底前共有7台浸润式机台会到位，以因应2010年下半12吋晶圆厂13万片产能全数转至50奈米制程，但若要提前导入42奈米制程，预计将再增加3台，若设备商ASML交货顺利，华亚科在2010年底前会有10台浸润式机台备战。
在尔必达方面，日前传出采用铜制程45奈米良率获大幅改善，将加速尔必达大量转进45奈米制程时间点。台厂方面，目前尔必达阵营中，瑞晶导入45奈米制程速度最快，之前因为ASML浸润式机台递延交货，导致瑞晶更弦易辙，将旗下8万片12吋晶圆厂产能全数转进微缩版63奈米作因应，并成为公司主力。随着机台陆续到位，瑞晶将会是尔必达阵营中，最快导入45奈米制程的台厂成员，预计9月底前会有5~6台机台到位。
