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消息称,台积电或将绕过2nm,直奔1.4nm制程工艺

编辑:AVA 发布:2022-05-26 15:48

据媒体报道,近期业内消息称,台积电或将直接绕过2nm制程,直奔1.4nm工艺技术。

然而,目前尚不清楚台积电将会从哪些方面对1.4nm工艺的几何结构进行设计。荷兰光刻机巨头阿斯麦(ASML)称:“在元件方面,目前的技术创新足够将芯片工艺推进到至少1nm节点,包括gate-all-around FET(环绕栅极晶体管),nanosheet FET,forksheet FETs以及complementary FET”。

目前,台积电和三星两家代工厂商一直在先进制程技术上互相竞争。目前为止,开发最小节点的公告来自三星,三星公布了在2025年生产2nm工艺芯片的计划。

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股市快讯 更新于: 07-07 21:15,数据存在延时

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