权威的存储市场资讯平台English

2018年NAND价格已累计下滑29%,原厂动态引市场专注!

来源:中国闪存市场 编辑:Helan 更新:2018/5/25 15:21:41

由于Flash各家原厂64层3D NAND量产256Gb或512Gb单颗Die,以及新一代具有成本优势的3D NAND积极导入到eMMC、SSD等产品中应用,使得NAND Flash价格持续下滑。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,2018年NAND Flash综合价格指数已累计下滑29%,已基本回到2016下半年的水平,NAND Flash每GB价格已下探至0.17美金。

2016年-2018年5月NAND Flash综合价格指数走势

来源:中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com

NAND Flash价格持续下滑,主要是因为原厂64层3D NAND已具有2D NAND的成本优势,但更值得关注的是美光与英特尔推出64层3D QLC NAND,相比三星、东芝、美光、SK海力士等64层3D NAND单颗Die容量增加了一倍。由于QLC(4bits/cell)架构相较于TLC(3bits/cell)具有更高的存储优势,其单颗Die容量可高达1Tb,这将意味着每GB NAND Flash成本将会持续下滑。

此外,东芝将在7月份开始新建Fab 7工厂,预估2019年开始投产,以东芝3D NAND技术发展进程推算,预估新工厂建成后将用于量产96层3D NAND,若再采用QLC架构,预计单颗Die容量将更高,每GB NAND Flash成本也将进一步下滑。

除了东芝,传三星和SK海力士计划加码投资,以强化半导体制造能力,其中三星计划把芯片制造设施投资从27.3兆韩元提高至30兆韩元;SK海力士资本支出将提高至15兆韩元。

2018年以来Flash原厂建厂、加码投资等动作不断,比如三星西安二期、东芝Fab6/7、美光Fab10三期等。就各家建厂进程而言,新工厂投产时间预计将会落在2019年以后,所以对目前的NAND Flash市场影响不大,但可能会引起市场恐慌系数的上升,从而影响市场价格波动。

至于美光和英特尔新推出的64层3D QLC NAND,由于高密度优势,以及各家原厂非常看好SSD市场发展前景,所以会优先用于SSD产品上,预估对SSD市场有影响,同时可能会刺激SSD价格进一步下滑。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,截止到5月下旬,SSD 120GB价格从年初的32美金下滑至27美金,累计下滑15.6%;240GB价格从60美金下滑至44美金,累计下滑27%;480GB价格则由130下滑至86美金,累计下滑34%。

展望后市,2018年Q2市况优于首季,但依然面临着很多的压力,随着台北电脑展即将在6月初拉开序幕,有助于市场需求的回温,而且在Q3旺季到来之前,厂商可望提前启动旺季备货动作,但仍需密切关注NAND Flash市场供需变化,灵活控制库存水位,把握市场先机。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 10-20 08:17

Flash供应商
SamsungKRW43900.00-0.34%
TOSHIBAJPY3340.00+0.30%
HynixKRW70800.00+3.06%
MicronUSD40.45-2.06%
IntelUSD44.00-2.16%
WDCUSD56.54+1.27%
UNISCNY33.450.00
NanyaTWD52.10+1.17%
主控供应商
PhisonTWD196.500.00
SMIUSD42.14-5.47%
ALCORTWD17.10-0.58%
MarvellUSD17.76-1.82%
ASolidTWD44.000.00
3STWD20.90+0.97%
RealtekTWD110.00-0.90%
GokeCNY41.36+2.81%
品牌/销售
TranscendTWD66.70+0.76%
A-DATATWD39.50-1.37%
SiSTWD8.28+1.10%
封装厂商
OSETWD7.99-6.22%
PTITWD69.20-0.57%
JCETCNY10.38+3.59%
ASETWD62.40-1.27%