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技术差或缩小至2年!长江存储:存储芯片量产如期推进

编辑:Amanda   发布:2019-03-22 11:33

日经新闻报导,长江存储联席首席技术官程卫华表示,该公司生产如期推进,和全球供应商的合作关系一切正常。

长江存储64层3D NAND预计将在2019年第3季将可投产。业界预计2020年推出128层堆叠的3D NAND。

长江存储副总裁兼联席首席技术官程卫华指出,3D NAND已迅速成为动态系统的标准技术,随着堆叠层数的不断提升,传统3D NAND闪存面临着新的挑战,包括CMOS/阵列电路加工时的热影响、有限的I/O传输速度、存储密度和产品上市周期等。

Bernstein Research半导体分析师Mark Li说,如果长江存储的64层3D NAND如期在2019年下半量产,长江存储和国外领导厂商的技术差距,可望从落后3、4年,缩小至落后2年。

去年,福建晋华遭美国指控窃取商业机密,将晋华列入出口管制实体清单。程卫华强调,长江存储不允许员工窃盗知识产权或其他公司商业机密的事情发生,公司要求所有人员签署协定,不能把非法取得资料带进公司。

另外,近来存储器供给过剩,价格跌不停,外界忧虑长江存储将开出庞大产能,打坏市场。程卫华指出,长江存储不会大举增产,让存储器供过于求。去年长江存储执行长杨士宁(Simon Yang)在中国闪存市场峰会(CFMS 2018)上表示:我们也希望能创新,能为这个产业做我们的贡献,所以我们就发布了Xtacking™技术,而且产品出来以后上了量是要赚钱的,并不是来砸场子的。

企业信息
中国公司
公司名称:
长江存储
地点:

湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号

成立时间:
2016
所在地区:
武汉
联系电话:
+86 27 87906000

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