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三星1znm 8Gb DDR4生产率提高20%以上,下半年量产

编辑:Helan   发布:2019-03-21 15:48

日前,三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后,三星今天又宣布首次开发出第三代10纳米级(1z-nm)8Gb双倍数据速率的DDR4。

这是三星自2017年底批量生产第二代10nm级(1y-nm)8Gb DDR4以来,仅仅16个月就开发出了1znm 8Gb DDR4,而且不使用极紫外光刻(EUV)设备处理,就突破了DRAM的技术挑战。

三星1znm是业界最小的存储器工艺,新的1znm DDR4相较于1ynm生产率可提高20%以上,计划将在下半年开始量产1znm 8Gb DDR4,并将在2020年推出新一代企业服务器和高端PC应用的DRAM,满足未来市场日益增长的需求。

三星开发的1znm DRAM为加速向下一代如DDR5,LPDDR5和GDDR6过渡铺平了道路,这些将为未来创新提供动力。同时,三星开发更具高容量和高性能的1znm产品将增强其业务竞争力,巩固其在高端DRAM市场中的领导地位,包括服务器、图形和移动设备等领域。

三星正积极与全球客户合作,在与CPU制造商进行8GB DDR4模块的全面验证后,将提供一系列存储解决方案。同时,三星在其平泽工厂生产先进的DRAM产品,满足市场不断增长的需求。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培(Jung Bae Lee)表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础,确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出1znm的DRAM系列产品,三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统,并满足高端内存市场的增长。”

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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