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三星发布新一代HBM2E产品,性能提升33%,容量翻倍

编辑:Helan   发布:2019-03-20 15:51

三星在NVIDIA的GPU技术大会(GTC)上发布了新的高带宽HBM2E产品,为下一代超级计算机、图形系统和人工智能(AI)等提供更高的DRAM性能水平。

三星曾在2018年1月宣布开始批量生产第二代8GB高带宽HBM2产品,每个引脚提供2.4Gbps数据传输速度。三星新一代的HBM2E每个引脚提供3.2Gbps数据传输速度,比上一代HBM2快33%。Flashbolt的每个芯片密度为16Gb,是上一代产品的两倍。

三星通过不断的创新和改进,单个HBM2E封装芯片将提供410GBps的数据带宽和16GB容量。

除了三星,SK海力士曾在2017年8月宣布量产HBM2产品,分别是2GB、4GB、8GB容量,最高宽带可高达256GB/s的带宽,在2018年度报告中表示,将积极响应客户对HBM2和GDDR6产品的需求。

HBM(High bandwidth memory)主要是与GDDR展开竞争,在消费类市场,AMD RX Vega、NVIDIA Titan V等极少数产品应用了HBM2,专业市场AMD Radeon Instinct、NVIDIA Tesla的需求更大,但是成本是其普及的最大制约因素。

三星电子存储产品规划和应用工程团队高级副总裁Jinman Han表示:“Flashbolt将为下一代数据中心、人工智能、机器学习和图形应用提供业界领先增强性能的解决方案,我们将继续扩大我们的优质DRAM产品,并不断在高性能、高容量、低功耗存储方面创新和进步,以满足市场需求。”

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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