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扩产保市占!传三星平泽新产线在2020年投产DRAM

编辑:Helan   发布:2019-02-25 11:24

据韩媒每日经济报导,三星平泽2号产线正在进行地下结构工程,决定投资兴建平泽半导体厂2号产线,欲生产DRAM,预计将在2019年底完工,2020年正式启用投产。

2018年原厂三星、东芝/西部数据、美光/英特尔、SK海力士等不仅在96层和QLC创新技术上展开激烈竞争,更是在投资、建厂、扩产等方面拉开战局。然而,由于NAND Flash市场供过于求,价格大跌,影响原厂获利,为了改变市况,Flash原厂在2018年底不得不采取减少产出,或减缓投资计划等策略。

不仅仅是NAND Flash,DRAM市场也是供过于求,未来DRAM仍存在较大的市场跌价风险。三星电子总计投资30兆韩元(约267亿美元),欲建设全球最大半导体生产基地。目前平泽1-1产线生产NAND Flash,1-2产线生产DRAM。三星扩大DRAM产能,是为了扩大市占率。

另一方面,市场经过一定时间的供需调整,再加上2019年新一代的旗舰机产品纷纷推出,尤其是三星、华为、OPPO、小米等5G手机、折叠手机等引爆市场商机,且搭载的Mobile DRAM容量向12GB升级,NAND Flash容量提高到1TB,将对存储芯片需求快速增加。

三星曾表示,2019年首季因为处于淡季,需求会有所下滑,但第2季DRAM的库存调整结束后,预计市场需求就会逐渐恢复,再加上第二季度新CPU的推出,服务器高容量DRAM需求增长稳定,将带动DRAM需求在Q2增加。

在NAND Flash方面,原厂96层3D NAND技术将单颗Die容量提升到1Tb,2019年NAND Flash供应会持续增加,为了避免再现供过于求的窘境,三星推出的Galaxy S10系列将容量升级到1TB容量,开启旗舰机配置新标杆,推动市场需求增加。

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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