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三星扩大NAND投资,2019年资本支出将达90亿美元

来源:中国闪存市场  编辑:Helan   发布时间:2018-07-13 11:25

韩国业界最近指出,三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元,预计将以韩国平泽、中国西安为主,扩大高容量3D NAND生产规模,期望拉大与其它竞争对手间的差距。

韩媒朝鲜日报引述业界消息,三星2018年的NAND Flash资本支出约64亿美元,预计2019年将扩大为90亿美元左右,明显高于其它NAND Flash竞争对手的资本支出水平。

2018年各家原厂在64层3D NAND上拼产能,2019年全球将集中在先进的96层技术上竞争,身为NAND Flash龙头的三星,已宣布开始量产第五代96层3D NAND,为了确保市场上的领先优势与版图,将采取更为积极的战略,市场恐重现NAND Flash供给过剩的恶梦。

事实上,继PC、手机之后,汽车、服务器、人工智能等多样化领域需求浮现,三星、东芝/西部数据、SK海力士及美光争相扩产,比如三星在新建Fab18工厂后,开始启动西安二期工厂,东芝/西部数据则新建Fab6和Fab7工厂,美光Fab10三期、SK海力士M15,新工厂的建设势必将需要大量的资金投入。

另一方面,中国大力发展存储产业,长江存储已成功量产并出货32层3D NAND,武汉存储器基地即将于2018年底前量产3D NAND,从2018年至2019年,将执行约65亿美元的扩产投资,NAND Flash市场竞争势将愈演愈烈。2018年由于各家原厂64层3D NAND倾巢出笼,导致上半年NAND Flash价格持续下滑,且已回到2016年涨价的时期的价位,预计在各家原厂供给过剩的情况加深的影响下,价格将进一步下滑,企业获利备受挑战。

面对这样的情况,三星2019年不仅增加资本投资,且明显高于其它竞争对手的资本支出水平,虽然三星已宣布量产96层3D NAND,但是其竞争对手东芝/西部数据也重押96层3D NAND,加码投资Fab6工厂增加96层技术的生产设备,所以三星必然不会落后他人。

三星重视NAND Flash技术与投资竞争,除了确保在市场上的领先地位外,更重要的是为了扩大在SSD市场上的市占率,同时也是其他原厂必争之地。随着先进技术降低成本,高容量SSD价格刺激市场需求的增加,预计2018年SSD在消费类PC市场的搭载率将超过50%,正式与HDD平分市场,而且SSD市场应用将持续扩大。

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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