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传三星开始导入EUV设备,提升DRAM生产效率

来源:DIGITIMES  编辑:Helan   发布时间:2018-06-15 16:38

传三星电子(Samsung Electronics)启动采用极紫外光(EUV)微影设备的DRAM生产研发,虽然三星目标2020年前量产16纳米DRAM,不过也有可能先推出17纳米制程产品。

韩媒News 1引述业界消息指出,三星正在进行EUV制程DRAM量产效率提升计划,三星高层表示,导入EUV设备的新一代DRAM研发进展顺利,但尚无确切量产时间。三星过去利用四重曝光(QPT)技术生产DRAM,然随着制程持续微缩,QPT技术面临极限,因此业界开始转向EUV设备,EUV光波长仅13.5纳米,远小于目前ArF制程的193纳米。

由于这是三星第一次导入EUV设备生产DRAM,良率如何引发各界关注。半导体相关人士指出,EUV设备在过去3年间已有相当程度进化,大部分半导体业者也都决定使用此设备,三星晶圆代工事业已导入EUV,英特尔(Intel)与台积电7纳米制程也计划采用EUV,SK海力士(SK Hynix)则预计2019年后,先从部分1z(10~15纳米)制程导入EUV。

企业信息
公司总部
公司名称:
三星电子
地点:

韩国京畿道城南市盆唐区书岘洞263号三星广场大厦

成立时间:
1938年
所在地区:
韩国
联系电话:
4008105858

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