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英特尔大连工厂二期投产:主要生产96层3D NAND

编辑:Helan   发布:2018-09-26 11:17

9月21日,Intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。2006年7月,Intel与大连市政府达成总发展协议,随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂Fab 68,2010年建成,主要用于处理器的封装测试。

2015年10月,Fab 68二期项目落地,投资55亿美元(约合人民币380亿元),主要用来生产NAND闪存芯片,如今不到三年就顺利实现建成投产,创造了Intel工厂建设历史的新纪录。

在启动仪式上,Intel宣布新工厂将采用世界最先进的96层堆叠3D NAND闪存芯片制造技术实现量产。

据悉,Fab 68工厂未来将成为Intel NAND闪存的最核心生产基地,会贡献大约70%的产能。

目前的全球NAND闪存市场上,三星以37%的份额遥遥领先,然后是东芝、西数、美光、SK海力士,Intel则还不到10%,其固态存储产品也主要集中在企业级、数据中心市场上,消费级领域基本已不见踪影。

企业信息
公司总部
公司名称:
英特尔
地点:

美国

成立时间:
1968年
所在地区:
美国加州圣克拉拉
联系电话:
(408) 765-8080

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