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尽量避免使用美国原产技术,传长鑫存储已重新设计DRAM芯片

编辑:Olivia   发布:2019-06-13 20:28

据日经新闻引述未具名消息人士称,长鑫存储已经重新设计DRAM芯片,以尽量减少对美国原产技术的使用。

该消息人士表示,长鑫存储还无法完全消除威胁,其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新设计能够降低威胁,避免触及美国的知识产权。

长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见,长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。

长鑫存储是在合肥市政府和兆易创新共同推动下成立的,整个项目预计总投资超过72亿美元。消息人士指出,长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆,虽然需要经历某种学习曲线,但是按照计划,到2019年年底,长鑫存储产能将达到2万片/月。

根据长鑫存储去年透露的DRAM项目5年规划,将在2019年三季度推出8Gb LPDDR4,到2019年年底,产能达到2万片/月。从2020年开始,开始规划二厂,2021年完成17nm研发。

CINNO分析师Sean Yang指出,与全球130万片DRAM 硅晶圆的月产量相比,长鑫的产能仍然较小,但对于目前完全无法自制DRAM的中国大陆来说,却是一大突破。

长鑫存储DRAM技术来源于奇梦达,之后通过与国际大厂合作,持续投入研发超过25亿美元,并不断完善自身研发技术,目前已累积有1万6千个专利申请。

奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名DRAM大厂,但在2009年1月,奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心(位于西安高新区)是较大的两大研发中心。

企业信息
公司总部
公司名称:
长鑫存储
地点:

安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

成立时间:
2016年
所在地区:
合肥
联系电话:
暂无

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