每周新闻报：产业热点速读

1、台积电：正式启动2nm工艺研发，预计2024年投产

台积电宣布正式启动2nm工艺的研发，工厂位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

2、产能、良率将大幅提升！DRAM制程升级，并将用上EUV设备

三星暂定2019年11月开始量产采用EUV技术的1znm DRAM，量产初期将在华城17产线，不过由于与晶圆代工事业部共享EUV设备，所以初期使用量不大，之后平泽工厂也会启动EUV DRAM量产。

美光也在评估使用EUV设备带来的DRAM成本效益。SK海力士也有意以EUV制程生产DRAM，积极发展技术。

3、尽量避免使用美国原产技术，传长鑫存储已重新设计DRAM芯片

长鑫存储还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys)，传长鑫存储已经重新设计DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

4、存储器产业支出下降45%！SEMI下调全球晶圆厂设备支出至484亿美元

SEMI预估今年存储器产业支出将下降45%，占今年降幅的绝大部分，但2020年可望强劲复苏45%至280亿美元。以每半年的投资动态来看，今年上半年存储器支出将减少48%，投入3D NAND和DRAM的资金分别下滑60%和40%；不过，存储器产业支出可望在今年下半年回稳，并在2020年时呈现复苏。2020年存储器相关投资将较今年增加超80亿美元，并带动晶圆厂支出的复苏，但与 2017、2018 年相比，明年存储器相关投资仍将远低于先前水平。

5、继续增产，美光新厂宣布将于年底量产1Znm LPDDR4，同时还将扩大投资

美光科技广岛工厂新建B2楼已竣工，将在2019下半年增加1Ynm产量，除此之外，预计将在年底启动第3代工艺即1Znm，将用于低功耗的LPDDR4生产。

美光计划1α、1βnm工艺将部分在广岛工厂的F栋生产，继续对日本工厂进行投资，到目前为止的投资，已累计达数十亿美元。

6、库存大，价格跌，淡/旺季交替时节，厂商甚为谨慎

尽管美光、SK海力士、英特尔等纷纷宣布减少Wafer产出，但是目前原厂依然有很大的库存压力，再加上正处于淡/旺季交替时节，后续市场走向不明朗，导致NAND Flash相关产品价格持续下滑。

原厂库存压力主要表现在Good Die产能过剩，也是影响行业市场SSD价格持续下滑的主要因素。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价显示，本周（6月11日），行业市场SSD整体下滑，尤其是大容量的512GB价格跌幅明显，其中PCIe SSD 512GB价格由48美金下跌至47美金，SATA SSD 512GB价格由46美金下跌至45美金，2019年价格累积跌幅均已达24%。

7、美光UFS 2.1产品导入汽车市场应用，并已向客户送样，Q3量产

美光汽车级存储解决方案UFS 2.1已经向汽车客户开始送样，预计2019年第三季度将实现批量生产。UFS2.1系列产品是基于64层TLC 3D NAND，容量覆盖从32GB到256GB。