台积电：正式启动2nm工艺研发，预计2024年投产

日前，台积电宣布正式启动2nm工艺的研发，也是全球第一个宣布开始研发2nm工艺的厂商。工厂位于台湾新竹的南方科技园，预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标，2nm工艺是一个重要节点，Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x，同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm，Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm，相比于3nm都小了23％。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料，晶体管结构示意图和目前并没有明显变化，能在硅半导体工艺上演进到如此地步真是堪称奇迹，接下来就看能不能做到1nm了。

当然，在那之前，台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中，7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术，目前已经投入量产；6nm只是7nm的一个升级版，明年第一季度试产；5nm全面导入EUV，已经开始风险性试产，明年底之前量产，苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳)；3nm有望在2021年试产、2022年量产。

另一晶圆代工大厂三星也已规划到了3nm，预期2021年量产。