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台积电:正式启动2nm工艺研发,预计2024年投产

编辑:AVA 发布:2019-06-14 20:47

日前,台积电宣布正式启动2nm工艺的研发,也是全球第一个宣布开始研发2nm工艺的厂商。工厂位于台湾新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。

按照台积电给出的指标,2nm工艺是一个重要节点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。

台积电没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,晶体管结构示意图和目前并没有明显变化,能在硅半导体工艺上演进到如此地步真是堪称奇迹,接下来就看能不能做到1nm了。

当然,在那之前,台积电还要接连经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。

其中,7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术,目前已经投入量产;6nm只是7nm的一个升级版,明年第一季度试产;5nm全面导入EUV,已经开始风险性试产,明年底之前量产,苹果A14、AMD五代锐龙(Zen 4都有望采纳);3nm有望在2021年试产、2022年量产。

另一晶圆代工大厂三星也已规划到了3nm,预期2021年量产。

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