编辑:Helan 发布:2019-03-06 21:17
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。
嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战,三星克服技术障碍,并将制程节点发展到28nm,不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势,还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征,是可期的持续性发展的产品,未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。
由于MRAM在写入数据之前不需要擦除,因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外,EMRAM使用的电压比EFlash低,并且在断电模式下不消耗电力,从而提高了功率效率。另外,由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术(如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管)轻松集成,可以节省成本。
三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的复杂挑战后,我们推出了嵌入式非易失性存储器ENVM技术,并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工继续扩大其新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合,以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性,以满足客户和市场需求。”
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
美光科技 | 78.680 | USD | +2.25% |
西部数据 | 44.310 | USD | +1.03% |
闪迪 | 32.955 | USD | +2.63% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 50.470 | USD | +1.96% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 90.640 | USD | -0.43% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 17.110 | USD | +0.23% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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