权威的存储市场资讯平台English

次世代存储器新突破,三星大规模量产28nm工艺EMRAM

编辑:Helan 发布:2019-03-06 21:17

三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。

MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。

嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战,三星克服技术障碍,并将制程节点发展到28nm,不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势,还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征,是可期的持续性发展的产品,未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。

由于MRAM在写入数据之前不需要擦除,因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外,EMRAM使用的电压比EFlash低,并且在断电模式下不消耗电力,从而提高了功率效率。另外,由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术(如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管)轻松集成,可以节省成本。

三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的复杂挑战后,我们推出了嵌入式非易失性存储器ENVM技术,并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工继续扩大其新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合,以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性,以满足客户和市场需求。”

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 05-22 13:38,数据存在延时

存储原厂
三星电子54800KRW-1.62%
SK海力士197100KRW-1.70%
铠侠2111JPY-2.85%
美光科技95.840USD-2.30%
西部数据49.490USD-2.25%
闪迪38.600USD-3.93%
南亚科技42.85TWD-1.83%
华邦电子17.85TWD-1.65%
主控厂商
群联电子514TWD+0.19%
慧荣科技64.710USD-0.60%
联芸科技39.26CNY-2.46%
点序58.2TWD-0.85%
品牌/模组
江波龙74.93CNY-0.43%
希捷科技104.430USD-2.37%
宜鼎国际242.5TWD-1.22%
创见资讯103.5TWD-1.90%
威刚科技92.4TWD-0.65%
世迈科技18.100USD-3.98%
朗科科技23.42CNY-1.14%
佰维存储60.19CNY+0.17%
德明利114.11CNY-2.09%
大为股份14.59CNY+1.04%
封测厂商
华泰电子37.45TWD+0.94%
力成118.0TWD-0.42%
长电科技33.02CNY-0.15%
日月光145.0TWD+0.35%
通富微电24.11CNY-0.66%
华天科技9.05CNY-0.88%