编辑:Helan 发布:2019-03-06 21:17
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。
嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战,三星克服技术障碍,并将制程节点发展到28nm,不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势,还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征,是可期的持续性发展的产品,未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。
由于MRAM在写入数据之前不需要擦除,因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外,EMRAM使用的电压比EFlash低,并且在断电模式下不消耗电力,从而提高了功率效率。另外,由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术(如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管)轻松集成,可以节省成本。
三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的复杂挑战后,我们推出了嵌入式非易失性存储器ENVM技术,并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工继续扩大其新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合,以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性,以满足客户和市场需求。”
存储原厂 |
三星电子 | 63300 | KRW | -0.78% |
SK海力士 | 270500 | KRW | -2.87% |
铠侠 | 2380 | JPY | -6.59% |
美光科技 | 122.290 | USD | +0.45% |
西部数据 | 66.080 | USD | +0.46% |
闪迪 | 46.410 | USD | +0.43% |
南亚科技 | 48.45 | TWD | -4.25% |
华邦电子 | 19.15 | TWD | -3.04% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.0 | TWD | -3.24% |
慧荣科技 | 74.810 | USD | +1.11% |
联芸科技 | 41.45 | CNY | -1.61% |
点序 | 52.3 | TWD | -3.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.65 | CNY | -2.51% |
希捷科技 | 149.440 | USD | -1.65% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | -1.22% |
创见资讯 | 120.0 | TWD | +4.80% |
威刚科技 | 93.6 | TWD | -2.80% |
世迈科技 | 20.870 | USD | +3.32% |
朗科科技 | 23.77 | CNY | -1.65% |
佰维存储 | 64.97 | CNY | -2.01% |
德明利 | 121.38 | CNY | +2.60% |
大为股份 | 19.15 | CNY | -4.35% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.20 | TWD | -2.92% |
力成 | 134.5 | TWD | -1.47% |
长电科技 | 33.23 | CNY | -0.89% |
日月光 | 147.0 | TWD | +2.08% |
通富微电 | 25.09 | CNY | -1.18% |
华天科技 | 9.89 | CNY | -1.98% |
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