编辑:Helan 发布:2019-03-06 21:17
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。
嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战,三星克服技术障碍,并将制程节点发展到28nm,不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势,还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征,是可期的持续性发展的产品,未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。
由于MRAM在写入数据之前不需要擦除,因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外,EMRAM使用的电压比EFlash低,并且在断电模式下不消耗电力,从而提高了功率效率。另外,由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术(如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管)轻松集成,可以节省成本。
三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的复杂挑战后,我们推出了嵌入式非易失性存储器ENVM技术,并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工继续扩大其新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合,以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性,以满足客户和市场需求。”
存储原厂 |
三星电子 | 54800 | KRW | -1.62% |
SK海力士 | 197100 | KRW | -1.70% |
铠侠 | 2111 | JPY | -2.85% |
美光科技 | 95.840 | USD | -2.30% |
西部数据 | 49.490 | USD | -2.25% |
闪迪 | 38.600 | USD | -3.93% |
南亚科技 | 42.85 | TWD | -1.83% |
华邦电子 | 17.85 | TWD | -1.65% |
主控厂商 |
群联电子 | 514 | TWD | +0.19% |
慧荣科技 | 64.710 | USD | -0.60% |
联芸科技 | 39.26 | CNY | -2.46% |
点序 | 58.2 | TWD | -0.85% |
品牌/模组 |
江波龙 | 74.93 | CNY | -0.43% |
希捷科技 | 104.430 | USD | -2.37% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | -1.22% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | -1.90% |
威刚科技 | 92.4 | TWD | -0.65% |
世迈科技 | 18.100 | USD | -3.98% |
朗科科技 | 23.42 | CNY | -1.14% |
佰维存储 | 60.19 | CNY | +0.17% |
德明利 | 114.11 | CNY | -2.09% |
大为股份 | 14.59 | CNY | +1.04% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.45 | TWD | +0.94% |
力成 | 118.0 | TWD | -0.42% |
长电科技 | 33.02 | CNY | -0.15% |
日月光 | 145.0 | TWD | +0.35% |
通富微电 | 24.11 | CNY | -0.66% |
华天科技 | 9.05 | CNY | -0.88% |
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