编辑:Helan 发布:2019-03-06 21:17
三星宣布已经开始大规模生产首款商用EMRAM产品,该产品基于28nm FD-SOI工艺技术,并计划在今年扩大高密度新兴的非易失存储器解决方案,包括1Gb EMRAM芯片。
MRAM一种非易失性的磁性随机存储器,除了MRAM,还有eFlash、EEPROM、eMRAM、eRRAM、ePRAM等次世代存储器,能够用于通用微控制器(MCU)、物联网、工业、消费类电子、汽车等,提升数据保存的能力。
嵌入式存储器的电荷存储中面临可扩展性挑战,三星克服技术障碍,并将制程节点发展到28nm,不仅用更低的成本提供更优的功率和速度优势,还具有非易失性、随机存取和强耐久性的特征,是可期的持续性发展的产品,未来将有望取代DRAM和NOR Flash技术。
由于MRAM在写入数据之前不需要擦除,因此写入速度大约比EFlash快1000倍。此外,EMRAM使用的电压比EFlash低,并且在断电模式下不消耗电力,从而提高了功率效率。另外,由于EMRAM模块可以与现有的逻辑技术(如Bulk、Fin和FD-SOI晶体管)轻松集成,可以节省成本。
三星代工市场副总裁Ryan Lee表示:“在克服新材料的复杂挑战后,我们推出了嵌入式非易失性存储器ENVM技术,并通过EMRAM与现有成熟的逻辑技术相结合,三星晶圆代工继续扩大其新兴的非易失存储器(eNVM)工艺产品组合,以提供独特的竞争优势和卓越的可生产性,以满足客户和市场需求。”
存储原厂 |
三星电子 | 81300 | KRW | 0% |
SK海力士 | 178000 | KRW | -0.89% |
美光科技 | 119.320 | USD | +0.09% |
英特尔 | 30.000 | USD | -2.22% |
西部数据 | 72.040 | USD | +0.77% |
南亚科 | 66.6 | TWD | -0.3% |
主控供应商 |
群联电子 | 724 | TWD | +0.56% |
慧荣科技 | 78.720 | USD | -0.03% |
美满科技 | 68.110 | USD | -0.83% |
点序 | 78.7 | TWD | -1.5% |
国科微 | 50.10 | CNY | -2.15% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.56 | CNY | -1.73% |
希捷科技 | 90.050 | USD | +0.60% |
宜鼎国际 | 292 | TWD | -0.34% |
创见资讯 | 100 | TWD | +0.3% |
威刚科技 | 120 | TWD | +4.8% |
世迈科技 | 19.120 | USD | +3.18% |
朗科科技 | 24.86 | CNY | -0.60% |
佰维存储 | 51.71 | CNY | +1.21% |
德明利 | 97.72 | CNY | -0.49% |
大为股份 | 11.16 | CNY | +0.18% |
封装厂商 |
华泰电子 | 61 | TWD | -0.97% |
力成 | 172.5 | TWD | -0.29% |
长电科技 | 26.20 | CNY | -1.76% |
日月光 | 150.5 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 20.49 | CNY | -1.06% |
华天科技 | 8.08 | CNY | -1.94% |
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