编辑:Helan 发布:2018-10-23 08:56
三星电子(Samsung Electronics)与SK海力士(SK Hynix)双双投入极紫外光(EUV)技术的DRAM制程研发,欲在存储器市场取得更大领先。日前三星电子宣布已完成技术研发,即将进入EUV商用化阶段,引起业界关注后续发展。
据韩媒Business Post报导,三星电子日前表示即将在7纳米系统半导体代工生产启用EUV技术,后续也会将EUV技术延伸到DRAM生产。三星是目前唯一成功在系统半导体导入EUV制程的业者,将EUV技术用在DRAM领域将指日可待。
三星电子表示,准备从10纳米中段(1y)DRAM开始采用EUV技术,逐渐扩大到10纳米以下制程,提高超高速、超大容量DRAM产品的技术竞争力。
SK海力士最近发表利川新工厂兴建计画,也松口会提高投资规模,采用最新EUV技术进行生产。韩国业界表示,SK海力士持续进行EUV技术研发,待工厂完工时应可顺利与新技术接轨。
以EUV技术生产DRAM在存储器市场将相当具有竞争力,因为产品不但能提高性能与电力效率,芯片体积也可缩小,使每片晶圆可生产的芯片数量增加,有效节省生产成本。DRAM价格易受市场景气影响波动,对业者而言,降低生产成本至关重要。
目前为止DRAM业者的技术水平差距不大,产品性能也未存在太大差异,使业者之间只能不断进行激烈的价格竞争。但若三星电子与SK海力士采用EUV技术生产DRAM,所提高的产品水平将更易于满足客户需求。
尤其人工智能(AI)服务器与自驾车等新兴科技领域对DRAM的质量要求提高,订单恐会涌向生产技术领先的DRAM业者。相较于美光(Micron)对采用EUV技术态度较为消极,三星电子与SK海力士积极以新技术欲维持领先。
三星电子表示,在半导体生产采用EUV技术之后,将可让5G、AI、物联网(IoT)等领域的技术发展速度加快,后续将会扩大EUV技术应用,提供客户更完善的产品服务。
韩国分析师预测,2019年起半导体业者将调整策略,减少DRAM方面的投资,有助市场景气维持良好。亦即包括三星电子、SK海力士在内的DRAM业者会放慢DRAM投资脚步。
存储原厂 |
三星电子 | 60400 | KRW | -1.63% |
SK海力士 | 281000 | KRW | -0.35% |
铠侠 | 2708 | JPY | +6.03% |
美光科技 | 122.205 | USD | -1.78% |
西部数据 | 64.785 | USD | +1.19% |
闪迪 | 46.210 | USD | +0.09% |
南亚科技 | 48.40 | TWD | -0.21% |
华邦电子 | 18.95 | TWD | +0.26% |
主控厂商 |
群联电子 | 486.0 | TWD | +3.08% |
慧荣科技 | 74.650 | USD | +3.19% |
联芸科技 | 40.32 | CNY | -1.61% |
点序 | 51.5 | TWD | +0.39% |
品牌/模组 |
江波龙 | 81.98 | CNY | -2.03% |
希捷科技 | 142.400 | USD | -1.43% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | +1.68% |
创见资讯 | 99.9 | TWD | -0.60% |
威刚科技 | 97.2 | TWD | +3.96% |
世迈科技 | 23.360 | USD | +10.24% |
朗科科技 | 23.71 | CNY | -2.11% |
佰维存储 | 65.00 | CNY | -0.82% |
德明利 | 121.80 | CNY | +0.37% |
大为股份 | 17.92 | CNY | -4.02% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.45 | TWD | -0.66% |
力成 | 136.5 | TWD | +1.87% |
长电科技 | 33.18 | CNY | -1.10% |
日月光 | 146.5 | TWD | +2.45% |
通富微电 | 24.96 | CNY | -1.07% |
华天科技 | 9.76 | CNY | -1.61% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2