长江存储3D NAND架构Xtacking™，或用64层NAND

2018年8月6日，作为NAND行业的新晋者，长江存储科技有限责任公司（以下简称：长江存储）公开发布其突破性技术——Xtacking™。该技术将为3D NAND闪存带来前所未有的I/O高性能，更高的存储密度，以及更短的产品上市周期。

采用Xtacking™，可在一片晶圆上独立加工负责数据输入输出及记忆单元操作的外围电路。这样的逻辑电路加工工艺，可以让NAND获取所期望的高I/O接口速度和功能。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，创新的Xtacking™技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

闪存和固态硬盘领域的知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为：“随着3D NAND更新换代，在单颗NAND芯片存储容量大幅提升后，要维持或提升相同容量SSD的性能将会越来越困难。若要推动SSD性能继续提升，更快的NAND输入输出速度及多plane并行操作功能将是必须的。”

长江存储CEO杨士宁博士表示：“目前，世界上最快的3D NAND输入输出速度的目标值是1.4Gbps，而大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking™技术我们有望大幅提升NAND 输入输出速度到3.0Gpbs，与DRAM DDR4的I/O速度相当。这对NAND行业来讲将是颠覆性的。”

传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking™技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度。

Xtacking™技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。此外，这种模块化的方式也为引入NAND外围电路的创新功能以实现NAND闪存的定制化提供了可能。

长江存储已成功将Xtacking™技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产阶段。通过与客户、行业合作伙伴和行业标准机构的合作，Xtacking™技术将应用于智能手机、个人计算、数据中心和企业应用等领域，并将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。