权威的存储市场资讯平台English

IHS预测明年NAND将供过于求

来源:MoneyDJ 编辑:Helan 更新:2017/12/5 15:15:16

韩媒BusinessKorea 5日报导,IHS Markit报告预估,明年全球NAND Flash供给将提高39.6%至2,441亿GB。其中三星电子将带头增产,预料供给将增39%至879亿GB。与此同时,明年全球NAND需求提高36.7%至2,424亿GB,供给超出需求17亿GB,供给过剩比率约为0.7%。

尽管NAND转跌,DRAM价格仍旺,业界人士说,三星也许会减产NAND、增产DRAM。美系外资附和此一看法,推测三星平泽厂的二楼产线,可能从生产NAND改为生产DRAM。若真是如此,该外资预估,明年NAND供给将短缺0.7%,供不应求情况到明年第三、四季更为严重,将分别短缺2%、3.2%,吃紧情况为去年第四季以来之最。

部分观察家则说,另一个可能影响产出的因素是制程转换的技术问题,也许会让增产幅度小于预期。技术难度不断提高,过去六、七年来,业者投资规模大致维持不变,但是产出成长幅度却减半。随着三星和SK 海力士转进3D NAND,结果或许好坏参半,压缩成长增幅。

在此之前,另一韩媒也说,三星平泽厂二楼主要用于生产DRAM,但是警告此举也许会让DRAM供过于求。

韩媒etnews 4日报导,三星平泽工厂是一栋两层建筑,一楼和二楼每月wafer产能分别为10万片和20万片,二楼的投资规模将大于一楼。三星平泽厂一楼之所以比二楼的生产能力小,是因为它的一些空间被用于办公室和自助餐厅。二楼分为西区和东区,各自保证每个月10万片wafer产能。二楼第一阶段投资是西区,二期投资为东区。三星预计西区将按照每月7万片3D NAND和3万片DRAM的产能比例来配置生产设备,东区则按照每月10万片DRAM产能来配置生产设备。

报导称,要是三星加快投资脚步,并决定把二楼多用于生产DRAM,DRAM可能供过于求,价格由涨转跌。业界人士说,存储器价格取决于三星投资速度;不仅如此,三星的西安厂可能也会投资增产(应为NAND Flash),料于2018年底或2019年启动。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 02-25 03:36

Flash供应商
SamsungKRW2361000.00+0.98
TOSHIBAJPY308.00+0.33
HynixKRW77300.00+1.84
MicronUSD46.53+5.15
IntelUSD47.73+4.21
WDCUSD89.14+4.22
UNISCNY59.47+0.15
主控供应商
PhisonTWD291.00+0.69
SMIUSD45.13+0.60
ALCORTWD19.45+1.30
MarvellUSD23.25+0.52
Card/USB 供应商
TranscendTWD83.90+0.60
A-DATATWD73.10-0.54
封装厂商
SPILTWD50.80+0.40
OSETWD8.73+0.11
PTITWD90.60+0.78
JCETCNY18.13+0.22