编辑:Helan 发布:2017-11-27 17:43
Thomson Reuters 27日报导,摩根士丹利( Morgan Stanley ,大摩)26日以明年存储芯片获利恐难显著成长为由,将三星电子公司投资评等自「加码」降至「中性权重」、目标价下修3.4%至280万韩元。大摩指出,随着NAND Flash报价在2017年第4季开始反转、下行风险随之升高;在此同时,2018年第1季以后的DRAM供需能见度也已降低。
三星电子10月表示,2018年DRAM、NAND Flash供需预估将持续呈现吃紧。三星电子27日盘中下跌4.2%、创一年多以来最大跌幅。三星竞争对手SK Hynix一度下跌3.6%、创10月底以来最大跌幅。
SK Hynix下跌2.35%、报83,100韩元;开盘迄今最低跌至82,000韩元、创11月20日以来新低。
美国存储器大厂美光科技(Micron Technology Inc., MU.US)11月24日上涨1.10%、收49.68美元,创2000年9月27日以来收盘新高;今年迄今大涨126.64%。
美光将在2017年12月19日公布2018会计年度第1季财报。新闻稿显示,美光的记忆体与储存解决方案协助推动人工智能 (AI)、机器学习以及自主驾驶车等颠覆性趋势。
CNBC 11月10日报导,CM Research研究经理Cyrus Mewawalla表示全球存储芯片短缺现象至少会延续至2018年底,主因为DRAM、NAND Flash需求来自AI、扩增实境等新且强大的科技循环。例如,美光芯片被用来驱动自驾车、协助汽车系统侦测路面状况。
英特尔、美光科技11月13日宣布,IM Flash B60 晶圆厂已完成扩建工程。新闻稿指出,规模扩大后的晶圆厂将生产3D XPoint。成立于2006年的IM Flash合资企业替英特尔与美光生产非挥发性存储器。
存储原厂 |
三星电子 | 78600 | KRW | +4.11% |
SK海力士 | 179800 | KRW | +5.15% |
美光科技 | 110.34 | USD | -1.89% |
英特尔 | 34.62 | USD | +0.99% |
西部数据 | 68.90 | USD | -1.46% |
南亚科 | 65.5 | TWD | +4.3% |
主控供应商 |
群联电子 | 688 | TWD | +3.93% |
慧荣科技 | 73.51 | USD | +1.30% |
美满科技 | 63.90 | USD | +0.06% |
点序 | 78.8 | TWD | +3.14% |
国科微 | 46.31 | CNY | +0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 98.36 | CNY | +3.76% |
希捷科技 | 86.00 | USD | -0.61% |
宜鼎国际 | 288 | TWD | +1.41% |
创见资讯 | 90.4 | TWD | +1.35% |
威刚科技 | 99.5 | TWD | +5.29% |
世迈科技 | 17.86 | USD | -0.39% |
朗科科技 | 24.42 | CNY | +5.17% |
佰维存储 | 46.99 | CNY | +4.33% |
德明利 | 121.50 | CNY | +0.55% |
大为股份 | 10.55 | CNY | +2.53% |
封装厂商 |
华泰电子 | 62.5 | TWD | +3.99% |
力成 | 173 | TWD | +2.37% |
长电科技 | 24.38 | CNY | +3.66% |
日月光 | 148 | TWD | +2.07% |
通富微电 | 19.70 | CNY | +4.12% |
华天科技 | 7.50 | CNY | +3.02% |
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