兆易创新与合肥投资公司合作研发DRAM，存储芯片国产化又进一步

上周五，兆易创新宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》，将开展19nm制程工艺存储器 (含DRAM等)的研发项目，预算约为180亿元人民币，目标是在2018年12月31日前研发成功。

该项目所需投资由兆易创新与合肥投资公司根据1:4的比例负责筹集，资金投入的方式包括但不限于由双方直接或间接股权投资或通过自身或指定主体提供借款实现。在未来产能方面约定，项目研发及生产的DRAM等优先供兆易创新销售并满足其客户的市场需求，以及优先承接其DRAM产品的代工需求。

兆易创新还发布2017年三季报，实现营业收入15.17亿元，同比增长44.69%；净利润为3.39亿元，同比增长134.7402%。10月30日早盘，兆易创新一字板涨停(今开148.64,前收135.13,涨幅10%)。

▲兆易创新股价

近几年，国家加大对存储产业的建设，以及加强对数据信息安全存储的重视，产业扶持政策和新项目投资也在持续升温中。从国家政府发布《国家集成电路产业发展推进纲要》，到国家大基金/华芯投资已投资50多个项目，40多家企业，中国集成电路产业前进的步伐正在进行中。

为了响应国家政策的号召，以及加快存储芯片国产化。兆易创新曾计划收购主营DRAM、SRAM等存储芯片厂商ISSI，进军DRAM市场。但8月3日晚间兆易创新宣布终止收购ISSI，事与愿违。现在兆易创新与合肥投资公司合作研发19nm制程工艺的存储器，再次入局DRAM市场。

此外，合肥长鑫高端存储晶圆制造项目目前正在施工，拟建成业界先进工艺制程的DRAM存储器晶圆研发项目，计划2017年厂房建成，2018年上半年完成设备安装和调试，预计下半年生产。若兆易创新的存储器研发和合肥长鑫制造等项目顺利实施，将可助力中国在DRAM存储芯片上提高竞争力，以及获得充足的产能供应，有效地填补中国高端DRAM制造业的空白。

在NAND Flash方面，国家存储器基地项目（一期）一号生产及动力厂房，实现提前封顶，预计2018年投入使用。国家存储器基地项目一期规划投资240亿美元，主要包括3栋生产厂房、研发办公大楼以及生产配套等设施，主要生产的是3D NAND，未来总产能将达到30万片/月。

与此同时，国内存储器芯片设计厂商东芯半导体，采用先进的24nm闪存工艺已成功研发出8Gb SLC/16Gb MLC NAND闪存产品，这标志着中国大陆已经具备以先进制程工艺来开发、设计及制造一系列闪存芯片的能力，进一步缩小了与国际厂商技术水平间的差距。

再加上，江波龙等存储厂商，以及硅格半导体等控制芯片设计厂商的不断自我提升和超越，中国在存储行业制造、设计研发等能力方面正在微露锋芒，未来在全球存储市场将占有一席之地，加快存储芯片国产化的步伐。