SK海力士宣布量产UFS2.1产品,采用36层3D NAND

SK海力士在今天宣布开始大规模量产UFS2.1的产品，有32GB、64GB和128GB三个容量，基于第二代3D NAND的闪存解决方案，即36层堆叠的3D技术。UFS2.1产品高数据传输，高存储密度以及大大降低的功耗，与移动处理器相结合（如：英特尔的Cannonlake），可以发挥出比传统闪存解决方案更高的性能表现。

来源：SK海力士官网

SK海力士UFS 2.1产品采用双数据通道传输，以及High-Speed Gear 3接口，使其传输性能上有了突破性的飞跃，顺序读速高达800MB/s，顺序写速度则可达200MB/s，相比SK 海力士UFS 2.0的780MB/s和160MB/s读写速度，性能有一定的提升。

SK海力士的副总裁兼NAND产品规划办公室负责人SooHwan Choi表示“为能给智能手机用户提供先进的UFS2.1的产品，SK海力士与有荣焉。通过使用基于这款UFS2.1的智能手机，用户不仅可以体验8K分辨率和360度视频的视觉享受，还能体验到未压缩的图像拍摄”

UFS 2.0每通道最高理论带宽从UFS1.0的300MB/s提高至600MB/s，相当于SSD SATA III接口的传输速度，若是双通道即可享有翻倍的数据传输速度，UFS 2.1版本还增加了状态描述、安全写入保护等功能，以及固件的更新。随着智能型手机对存储和性能需求的不断提升，智能手机嵌入式产品应用正在由eMMC向UFS发展。

2016年新一代智能型手机主芯片三星Exynos8890、高通骁龙820、麒麟950、联发科Helio X30等均增加了对UFS 2.0的支持，上半年Galaxy S7、华为P9 Plus、小米5、乐视Max 2、vivo Xplay 5等旗舰机已搭配UFS 2.0，下半年苹果新iPhone则将3D NAND导入其中。

日前，美光也为移动设备推出了基于3D NAND的解决方案，且符合UFS 2.1标准，而慧荣也发布了一款全新UFS2.1 控制芯片SM2750，在UFS应用和3D NAND快速发展的趋势，预计2017年基于3D NAND的UFS产品将在智能手机快速应用起来。